アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
最終更新日:2022.01.27
アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
【高耐圧SJMOSFET・MEMS技術基盤ウエハー】のメーカーです。
当社は、電源などに高い効果を発揮するスーパージャンクションMOSFETおよびMEMS技術プロセス、技術基盤ウエハー、SOI(シリコンオンインシュレーター)、貼り付けシリコン基板を提供するベストインクラスのサプライヤーとして2004年に設立しました。
(米国本社、英国製造拠点、東京R&D拠点)
事業内容
■スーパージャンクションMOSFET(>600V,>650V)
革新的な深いトレンチエッチをもつ独自の製造技術MEMS構造で高耐圧スーパージャンクションMOSFETをシンプル且つ低コストプロセスで実現しました。
高パフォーマンスでコストメリットあるパワーMOSFETです。シリコンMOSFETとMEMSプロセス技術の融合で、世界的ベストインクラスのパフォーマンスをお届けします。
■技術シリコン基板の製造、ファウンドリーサービス
ベルファスト工場:ISO 9001・ISO14001/IATF16949認証取得
弊社の専門技術に、ウエハーの貼り付けWafer Bonding、深掘り反応性イオンエッチング Deep Reactive Ion Etching(DRIE)、ウエハー研磨があります。DRIEによるトレンチエッチと埋め込み技術をバルクシリコンやSOIウエハーに適用し,独自の誘電体絶縁基板を提供いたします。
SOI材料は、テレコミュニケーション製品や光学デバイス、ICの絶縁や無接点リレーやMEMSセンサー向けマイクロマシーン構造体、アクチュエーター、スイスの高級腕時計産業へのシリコンパーツなどといった、幅広い分野において適用されております。
10年以上の経験をもつ製造スキルと最先端の技術開発により、お客様がお問合せから製品供給までの優れたサービスを受けることができるよう、お応えしていきます。
基本情報
企業名 | アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社 |
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設立 | 2004年10月2日 |
代表者名 | Samuel Anderson |
資本金 | 250000万円 |
従業員数 | 92名 |
連絡先 | 〒135-0064 東京都江東区青海2丁目7-4 the SOHO 0603 電話番号:090-8614-7889 FAX:03-5579-6707 |
ウェブサイト | https://jp.icemostech.com/ |
製品情報
ニュース
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2022.01.27更新
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