【TSOIウエハー】
アイスモス・テクノロジーには同じチップ上の構成要素同士を高耐圧部で分けるなどといった、誘電体分離技術があります。隔離部は厚膜SOI技術と高いアスペクト比の深いトレンチエッチおよび酸化膜/ポリ埋め込み構造で構成されています。この技術は100－150㎜および、デバイスレイヤー厚さ1.5-100umに適用できます。
アイスモスは一つのチップ上で高耐圧部とコンポーネンツを分離するするなどといった誘電体分離技術を提供します。
隔離には厚い膜のSOIと高いアスペクト比の深いトレンチエッチおよび酸化膜とポリの埋め込み構造を使います。この技術には100－150㎜のウエハーサイズ、デバイスレイヤーは1.5-100umの厚みに適用可能です。

トレンチSOIは以下のような分野に使われております。
■MEMSデバイス
■ソリッドステートリレー光電発電機
■太陽光発電セルと光電子デバイス・IC
■テレコム用の高耐圧アナログIC
■高パフォーマンスバイポーラ回路
■スマートパワーIC
■集積センサー

弊社のプロセスエンジニアがお客様のデザイングループと密に働き、お客様のプロセスの発展への実現化につなげます。

【TSVウエハー】
隔離技術の他にウエハー内部導通技術のTSVウエハーがあります。内部導通技術がICやMEMSなどデザインによるパッケージ問題などを解決する手段ーデザインをし易くしたり、ソルダーバンプコンタクトなどでウエハーレベルのパッケージを容易にしたりする解決法となります。
アイスモス・テクノロジーのソリューションは事前に基板にプロセスを加え、基板内に導通部が形成されているものをお届けいたします。CMOSなどの基盤に最適です。
内部導通箇所はウエハーをエッチし、ドープされたポリシリコンが埋め込まれています。ウエハーは表面のメタル汚染基準や、平面性が保たれており、パーティクルも業界標準グレードのものです。これらのウエハーは1200℃の拡散工程にさらされても安定した基盤特性が確認されております。

アイスモスのカスタマイズされたTSVのソリューションは以下のような分野につかわれております。
■MEMS/MST向けSOI ソリューション
■生体 MEMS
■RF MEMS
■スマートパワー
■高度なアナログ ICs

アイスモスはお客様のスペックに見合う内部導通のソリューションをパートナーとして開発し、お客様の回路やセンサー向けにお望みの内部導通パターンに仕上げます。 TSVウエハーには横や下にボンディングパッドがあしらわれますが、そのデザインはお客様の要求事項に見合うように最適化され、カスタマイズいたします。