高純度ホスフィンガスを熱分解して高純度黄燐(白燐)を得て、さらに熱転化させることにより純度99.9999%レベルの高純度赤燐を製造しています。用途はSiをn型半導体化させるドーピング材料、もしくはGaPやInP等の燐系化合物半導体の原料に大別できます。特に、InP半導体は光トランシーバー(電気信号と光信号を相互変換するデバイス)に搭載され、近年の生成AI技術の進歩に伴って増設されているデータセンター間の光通信に必要不可欠な材料となっています。